ON Semiconductor - FDC5614P_D87Z

KEY Part #: K6407626

[908шт шт]


    Частка нумар:
    FDC5614P_D87Z
    Вытворца:
    ON Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET P-CH 60V 3A 6SSOT.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Тырыстары - SCR - Модулі and Тырыстары - SCR ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FDC5614P_D87Z. FDC5614P_D87Z можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDC5614P_D87Z Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : FDC5614P_D87Z
    Вытворца : ON Semiconductor
    Апісанне : MOSFET P-CH 60V 3A 6SSOT
    Серыя : PowerTrench®
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : P-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3A (Ta)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 3A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 24nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 759pF @ 30V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.6W (Ta)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : SuperSOT™-6
    Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • ZVN0124A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

    • ZVNL110ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • ZVN4206AVSTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

    • 2N7000-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

    • BS170_J35Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • IRFR220NTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 5A DPAK.