Vishay Siliconix - SI3443CDV-T1-E3

KEY Part #: K6396220

SI3443CDV-T1-E3 Цэнаўтварэнне (USD) [383787шт шт]

  • 1 pcs$0.09638
  • 3,000 pcs$0.09104

Частка нумар:
SI3443CDV-T1-E3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - JFET, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI3443CDV-T1-E3. SI3443CDV-T1-E3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3443CDV-T1-E3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI3443CDV-T1-E3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 5.97A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 12.4nC @ 5V
Vgs (макс.) : ±12V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 610pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 6-TSOP
Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў