Infineon Technologies - IPA65R380C6XKSA1

KEY Part #: K6418610

IPA65R380C6XKSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [70013шт шт]

  • 1 pcs$0.55848
  • 500 pcs$0.51236

Частка нумар:
IPA65R380C6XKSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - JFET, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPA65R380C6XKSA1. IPA65R380C6XKSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA65R380C6XKSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPA65R380C6XKSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
Серыя : CoolMOS™
Статус часткі : Not For New Designs
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 650V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 10.6A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 320µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 710pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 31W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO220 Full Pack
Пакет / футляр : TO-220-3 Full Pack

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.