TPAR3G S1G Цэнаўтварэнне (USD) [368470шт шт]
- 1 pcs$0.10038
- Частка нумар:
- TPAR3G S1G
- Вытворца:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE AVALANCHE 400V 3A TO277A. Rectifiers 95ns, 3A, 400V, Fast Recovery Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation TPAR3G S1G. TPAR3G S1G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
TPAR3G S1G Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
TPAR3G S1G
Вытворца :
Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне :
DIODE AVALANCHE 400V 3A TO277A
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Avalanche
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
400V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
3A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.55V @ 3A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
120ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
10µA @ 400V
Ёмістасць @ Vr, F :
58pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
TO-277, 3-PowerDFN
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-277A (SMPC)
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
-
RB751V-40
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=30V, IO=0.3A
-
CDSV4148-G
Comchip Technology
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching VR=75V, IF=150mA
-
CMDD2004 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage Diode 250Vr 300Vrrm 250mW
-
Гарачыя часткі
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18