Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя
  5. APT9M100B

Microsemi Corporation - APT9M100B

KEY Part #: K6408941

APT9M100B Цэнаўтварэнне (USD) [8565шт шт]

  • 120 pcs$2.34180
Частка нумар:
APT9M100B
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - IGBT - масівы and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APT9M100B. APT9M100B можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT9M100B Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APT9M100B
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
Серыя : POWER MOS 8™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1000V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 9A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2605pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 335W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247 [B]
Пакет / футляр : TO-247-3

Апошнія навіны

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VN2222LLRLRA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.

  • IXCY01N90E

    IXYS

    MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252.

  • FDD6N20TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK.

  • FDD8444L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

  • HUFA76609D3ST

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 10A DPAK.

  • FDD6N25TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK.

Гарачыя часткі