Infineon Technologies - BSP149H6906XTSA1

KEY Part #: K6399856

BSP149H6906XTSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [151178шт шт]

  • 1 pcs$0.24466
  • 1,000 pcs$0.21940

Частка нумар:
BSP149H6906XTSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - JFET, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies BSP149H6906XTSA1. BSP149H6906XTSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP149H6906XTSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BSP149H6906XTSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Серыя : SIPMOS®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 660mA (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 400µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 14nC @ 5V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 430pF @ 25V
Функцыя FET : Depletion Mode
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.8W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-SOT223-4
Пакет / футляр : TO-261-4, TO-261AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • DN2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

  • VP2206N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

  • AUIRFR5410

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.