Infineon Technologies - IPP126N10N3GXKSA1

KEY Part #: K6399063

IPP126N10N3GXKSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [60727шт шт]

  • 1 pcs$0.61879
  • 10 pcs$0.54729
  • 100 pcs$0.43269
  • 500 pcs$0.31741
  • 1,000 pcs$0.25059

Частка нумар:
IPP126N10N3GXKSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPP126N10N3GXKSA1. IPP126N10N3GXKSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP126N10N3GXKSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPP126N10N3GXKSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 58A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.3 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 46µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2500pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 94W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO220-3
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

  • TN0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • VN2410L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • IRFI9520GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220FP.

  • IRLI640GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP.