ON Semiconductor - FQPF8N90C

KEY Part #: K6419024

FQPF8N90C Цэнаўтварэнне (USD) [88025шт шт]

  • 1 pcs$0.44420
  • 1,000 pcs$0.43120

Частка нумар:
FQPF8N90C
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220F.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - SCR and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FQPF8N90C. FQPF8N90C можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQPF8N90C Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FQPF8N90C
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220F
Серыя : QFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 900V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 6.3A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2080pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 60W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220F
Пакет / футляр : TO-220-3 Full Pack

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў