Vishay Siliconix - SIR788DP-T1-GE3

KEY Part #: K6412676

SIR788DP-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [13363шт шт]

  • 3,000 pcs$0.20708

Частка нумар:
SIR788DP-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Тырыстары - TRIAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIR788DP-T1-GE3. SIR788DP-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR788DP-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIR788DP-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Серыя : SkyFET®, TrenchFET®
Статус часткі : Obsolete
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 60A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 75nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2873pF @ 15V
Функцыя FET : Schottky Diode (Body)
Рассейванне магутнасці (макс.) : 5W (Ta), 48W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® SO-8
Пакет / футляр : PowerPAK® SO-8

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BS108ZL1G

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.

  • IRFS7437-7PPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • AUIRLS3114Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK.

  • IRFR825PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • IRLR3714ZTRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 37A DPAK.

  • IRLR4343

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.