STMicroelectronics - STPSC8H065G2Y-TR

KEY Part #: K6434323

STPSC8H065G2Y-TR Цэнаўтварэнне (USD) [46827шт шт]

  • 1 pcs$0.83500

Частка нумар:
STPSC8H065G2Y-TR
Вытворца:
STMicroelectronics
Падрабязнае апісанне:
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE. Schottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V, 8 A high surge silicon carbide power Schottky diode
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах STMicroelectronics STPSC8H065G2Y-TR. STPSC8H065G2Y-TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STPSC8H065G2Y-TR Атрыбуты прадукту

Частка нумар : STPSC8H065G2Y-TR
Вытворца : STMicroelectronics
Апісанне : AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Серыя : Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Silicon Carbide Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 650V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 8A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.65V @ 8A
Хуткасць : No Recovery Time > 500mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 0ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 80µA @ 650V
Ёмістасць @ Vr, F : 414pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет прылад пастаўшчыка : D2PAK HV
Працоўная тэмпература - развязка : -40°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-8EWS12STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWF10STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWS12SLHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODES - D-PAK-E3. Rectifiers 8A If; 800V,1200V Vr TO-252AA (DPAK)

  • VS-8EWS08STRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWS08STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-HFA04SD60SL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3