ON Semiconductor - NTMD6N03R2G

KEY Part #: K6522032

NTMD6N03R2G Цэнаўтварэнне (USD) [308600шт шт]

  • 1 pcs$0.12046
  • 2,500 pcs$0.11986

Частка нумар:
NTMD6N03R2G
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - выпрамнікі - масівы, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor NTMD6N03R2G. NTMD6N03R2G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMD6N03R2G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : NTMD6N03R2G
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : 2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET : Logic Level Gate
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 30nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 950pF @ 24V
Магутнасць - Макс : 1.29W
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SOIC

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў