Частка нумар :
RSS090P03FU7TB
Вытворца :
Rohm Semiconductor
Апісанне :
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
9A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
39nC @ 5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
4000pF @ 10V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2W (Ta)
Працоўная тэмпература :
150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SOP
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)