Infineon Technologies - IRF9332TRPBF

KEY Part #: K6420953

IRF9332TRPBF Цэнаўтварэнне (USD) [302549шт шт]

  • 1 pcs$0.12225
  • 4,000 pcs$0.11733

Частка нумар:
IRF9332TRPBF
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - JFET and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IRF9332TRPBF. IRF9332TRPBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF9332TRPBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRF9332TRPBF
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
Серыя : HEXFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 9.8A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.5 mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.4V @ 25µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1270pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.5W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SO
Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў