Microsemi Corporation - APT100GT60JRDQ4

KEY Part #: K6532786

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APT100GT60JRDQ4. APT100GT60JRDQ4 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : APT100GT60JRDQ4

Вытворца : Microsemi Corporation

Апісанне : IGBT 600V 148A 500W SOT227

Серыя : Thunderbolt IGBT®

Статус часткі : Active

Тып IGBT : NPT

Канфігурацыя : Single

Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 600V

Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 148A

Магутнасць - Макс : 500W

Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 100A

Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 50µA

Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 5.15nF @ 25V

Увод : Standard

NTC-цеплавізатар : No

Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)

Тып мантажу : Chassis Mount

Пакет / футляр : ISOTOP

Пакет прылад пастаўшчыка : ISOTOP®

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

VS-GB90SA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.
VS-GB90DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.
CPV362M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.
CPV362M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.
CPV363M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.
VS-GB75NA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT