Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB90SA120U

KEY Part #: K6532812

VS-GB90SA120U Цэнаўтварэнне (USD) [1411шт шт]

  • 1 pcs$35.84552
  • 10 pcs$34.05116
  • 25 pcs$33.15505
  • 100 pcs$30.69080

Частка нумар:
VS-GB90SA120U
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - РФ, Транзістары - JFET, Дыёды - Зэнер - Масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB90SA120U. VS-GB90SA120U можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB90SA120U Атрыбуты прадукту

Частка нумар : VS-GB90SA120U
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып IGBT : NPT
Канфігурацыя : Single
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 149A
Магутнасць - Макс : 862W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 75A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 250µA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : -
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : No
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : SOT-227-4
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-227

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GB75LA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GT140DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 200A 652W SOT-227.

  • VS-GT120DA65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.