Частка нумар :
FF200R17KE4HOSA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Тып IGBT :
Trench Field Stop
Канфігурацыя :
2 Independent
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) :
1700V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) :
310A
Магутнасць - Макс :
1250W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic :
2.3V @ 15V, 200A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) :
1mA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce :
18nF @ 25V
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C
Тып мантажу :
Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
Module