ON Semiconductor - FDU6N50TU

KEY Part #: K6420252

FDU6N50TU Цэнаўтварэнне (USD) [174560шт шт]

  • 1 pcs$0.21295
  • 5,040 pcs$0.21189

Частка нумар:
FDU6N50TU
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 500V 6A IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - РФ and Тырыстары - TRIAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FDU6N50TU. FDU6N50TU можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDU6N50TU Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FDU6N50TU
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 500V 6A IPAK
Серыя : UniFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 500V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 6A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 16.6nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 940pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 89W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : I-PAK
Пакет / футляр : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў