STMicroelectronics - STD7NM80-1

KEY Part #: K6418475

STD7NM80-1 Цэнаўтварэнне (USD) [64847шт шт]

  • 1 pcs$0.60298
  • 3,000 pcs$0.53458

Частка нумар:
STD7NM80-1
Вытворца:
STMicroelectronics
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - JFET and Транзістары - IGBT - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах STMicroelectronics STD7NM80-1. STD7NM80-1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD7NM80-1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : STD7NM80-1
Вытворца : STMicroelectronics
Апісанне : MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
Серыя : MDmesh™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 800V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 6.5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 620pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 90W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : I-PAK
Пакет / футляр : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.