Vishay Siliconix - SI2301BDS-T1-E3

KEY Part #: K6420843

SI2301BDS-T1-E3 Цэнаўтварэнне (USD) [813936шт шт]

  • 1 pcs$0.04544
  • 3,000 pcs$0.04229

Частка нумар:
SI2301BDS-T1-E3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI2301BDS-T1-E3. SI2301BDS-T1-E3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2301BDS-T1-E3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI2301BDS-T1-E3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2.2A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±8V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 375pF @ 6V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 700mW (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-23-3 (TO-236)
Пакет / футляр : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў