Частка нумар :
TPH6R004PL,LQ
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
87A (Ta), 49A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.4V @ 200µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
30nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
2700pF @ 20V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1.8W (Ta), 81W (Tc)
Працоўная тэмпература :
175°C
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SOP Advance (5x5)
Пакет / футляр :
8-PowerVDFN