Diodes Incorporated - 1N4448WQ-7-F

KEY Part #: K6454984

1N4448WQ-7-F Цэнаўтварэнне (USD) [2141057шт шт]

  • 1 pcs$0.01728
  • 3,000 pcs$0.01601
  • 6,000 pcs$0.01392
  • 15,000 pcs$0.01183
  • 30,000 pcs$0.01114
  • 75,000 pcs$0.01044
  • 150,000 pcs$0.00905

Частка нумар:
1N4448WQ-7-F
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100Vrm Fast Switch 75Vrrm 53Vr 400mW
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - масівы and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated 1N4448WQ-7-F. 1N4448WQ-7-F можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4448WQ-7-F Атрыбуты прадукту

Частка нумар : 1N4448WQ-7-F
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
Серыя : Automotive, AEC-Q101
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 75V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 250mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.25V @ 150mA
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 4ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 25nA @ 20V
Ёмістасць @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : SOD-123
Пакет прылад пастаўшчыка : SOD-123
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • CSD01060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE

  • RURD660S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V

  • BAS116E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • C3D10060G

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A

  • VS-50WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-30WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3