STMicroelectronics - STB42N60M2-EP

KEY Part #: K6402014

STB42N60M2-EP Цэнаўтварэнне (USD) [26894шт шт]

  • 1 pcs$1.53245
  • 1,000 pcs$1.36414

Частка нумар:
STB42N60M2-EP
Вытворца:
STMicroelectronics
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - JFET, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах STMicroelectronics STB42N60M2-EP. STB42N60M2-EP можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB42N60M2-EP Атрыбуты прадукту

Частка нумар : STB42N60M2-EP
Вытворца : STMicroelectronics
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK
Серыя : MDmesh™ M2-EP
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 34A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 87 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.75V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±25V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2370pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 250W (Tc)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D2PAK
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.