Частка нумар :
SSM6J511NU,LF
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
12V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
14A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.1 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
47nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
3350pF @ 6V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
-
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
6-UDFNB (2x2)
Пакет / футляр :
6-WDFN Exposed Pad