Вытворца :
Rohm Semiconductor
Апісанне :
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
2A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
135 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
3.4nC @ 5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
310pF @ 10V
Функцыя FET :
Schottky Diode (Isolated)
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1.25W (Ta)
Працоўная тэмпература :
150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
TSMT5
Пакет / футляр :
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5