IXYS - IXFP18N60X

KEY Part #: K6395076

IXFP18N60X Цэнаўтварэнне (USD) [18247шт шт]

  • 1 pcs$2.49691
  • 50 pcs$2.48449

Частка нумар:
IXFP18N60X
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 18A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Тырыстары - TRIAC, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFP18N60X. IXFP18N60X можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP18N60X Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFP18N60X
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
Серыя : HiPerFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 18A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1440pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 320W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AB
Пакет / футляр : TO-220-3