Infineon Technologies - IPD096N08N3GATMA1

KEY Part #: K6420323

IPD096N08N3GATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [182477шт шт]

  • 1 pcs$0.20270
  • 2,500 pcs$0.19460

Частка нумар:
IPD096N08N3GATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 80V 73A.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - Модулі and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPD096N08N3GATMA1. IPD096N08N3GATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD096N08N3GATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPD096N08N3GATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 80V 73A
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 80V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 73A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.6 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 46µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2410pF @ 40V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 100W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO252-3
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў