Частка нумар :
SQ2364EES-T1_GE3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET N-CHAN 60V SOT-23
Серыя :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
2A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
2.5nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
330pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
3W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
SOT-23-3 (TO-236)
Пакет / футляр :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3