IXYS - IXTA08N100D2HV

KEY Part #: K6395195

IXTA08N100D2HV Цэнаўтварэнне (USD) [41564шт шт]

  • 1 pcs$0.94072

Частка нумар:
IXTA08N100D2HV
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - SCR, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTA08N100D2HV. IXTA08N100D2HV можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA08N100D2HV Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTA08N100D2HV
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1000V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 800mA (Tj)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 25µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 14.6nC @ 5V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 325pF @ 25V
Функцыя FET : Depletion Mode
Рассейванне магутнасці (макс.) : 60W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-263HV
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IXTY1N80P

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 1A TO-252.

  • IXTY48P05T

    IXYS

    MOSFET P-CH 50V 48A TO-252.

  • IXTY08N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252.

  • IXTY1N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252.

  • FDN359BN

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3.

  • FDN358P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3.