Central Semiconductor Corp - CMLDM8120G TR

KEY Part #: K6395489

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Central Semiconductor Corp CMLDM8120G TR. CMLDM8120G TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : CMLDM8120G TR

Вытворца : Central Semiconductor Corp

Апісанне : MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563

Серыя : -

Статус часткі : Active

Тып FET : P-Channel

Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)

Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V

Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 860mA (Ta)

Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 3.56nC @ 4.5V

Vgs (макс.) : 8V

Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 200pF @ 16V

Функцыя FET : -

Рассейванне магутнасці (макс.) : 350mW (Ta)

Працоўная тэмпература : -65°C ~ 150°C (TJ)

Тып мантажу : Surface Mount

Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-563

Пакет / футляр : SOT-563, SOT-666

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў