Частка нумар :
DMTH6009LK3-13
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
MOSFET N-CH 60V 14.2A
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
14.2A (Ta), 59A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
33.5nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1925pF @ 30V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
3.2W (Ta), 60W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-252
Пакет / футляр :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63