IXYS - IXFL30N120P

KEY Part #: K6395828

IXFL30N120P Цэнаўтварэнне (USD) [2925шт шт]

  • 1 pcs$17.11327
  • 25 pcs$17.02813

Частка нумар:
IXFL30N120P
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - TRIAC, Тырыстары - SCR, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - JFET, Транзістары - IGBT - Модулі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFL30N120P. IXFL30N120P можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFL30N120P Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFL30N120P
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
Серыя : HiPerFET™, PolarP2™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 18A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 310nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 19000pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 357W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : ISOPLUSi5-Pak™
Пакет / футляр : ISOPLUSi5-Pak™

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў