IXYS - IXFH52N30P

KEY Part #: K6394593

IXFH52N30P Цэнаўтварэнне (USD) [19791шт шт]

  • 1 pcs$2.30207
  • 30 pcs$2.29061

Частка нумар:
IXFH52N30P
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 300V 52A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - TRIAC, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - JFET and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFH52N30P. IXFH52N30P можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH52N30P Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFH52N30P
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 300V 52A TO-247
Серыя : PolarHT™ HiPerFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 300V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 52A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 66 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3490pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 400W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247AD (IXFH)
Пакет / футляр : TO-247-3