IXYS - IXTP05N100M

KEY Part #: K6395165

IXTP05N100M Цэнаўтварэнне (USD) [41564шт шт]

  • 1 pcs$1.08728
  • 50 pcs$1.08188

Частка нумар:
IXTP05N100M
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - JFET, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTP05N100M. IXTP05N100M можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP05N100M Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTP05N100M
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1000V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 700mA (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 Ohm @ 375mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 25µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 7.8nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 260pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 25W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AB
Пакет / футляр : TO-220-3