Апісанне :
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Тып FET :
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Функцыя FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V, 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
9-BGA (1.35x1.35)