Vishay Semiconductor Diodes Division - SE40PDHM3/87A

KEY Part #: K6443306

[2837шт шт]


    Частка нумар:
    SE40PDHM3/87A
    Вытворца:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE GEN PURP 200V 2.4A TO277A.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division SE40PDHM3/87A. SE40PDHM3/87A можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SE40PDHM3/87A Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : SE40PDHM3/87A
    Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Апісанне : DIODE GEN PURP 200V 2.4A TO277A
    Серыя : Automotive, AEC-Q101
    Статус часткі : Discontinued at Digi-Key
    Дыёдны тып : Standard
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 200V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 2.4A (DC)
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.05V @ 4A
    Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 2.2µs
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 100V
    Ёмістасць @ Vr, F : 28pF @ 4V, 1MHz
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : TO-277, 3-PowerDFN
    Пакет прылад пастаўшчыка : TO-277A (SMPC)
    Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 175°C

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • VS-5EWX06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers 5A 600V 14ns Hyperfast

    • VS-APH3006-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V 27ns Hyperfast

    • V20100SG-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 100 Volt Single TrenchMOS

    • VS-HFA15TB60-1-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC. Rectifiers 600V 15A TO-262 HexFred

    • V30100SG-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 100 Volt Single TrenchMOS

    • VS-HFA08TB120S-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1200V 8A D2PAK. Rectifiers 1200V 8A TO-263 HexFred