Diodes Incorporated - DMN4800LSS-13

KEY Part #: K6409632

DMN4800LSS-13 Цэнаўтварэнне (USD) [516749шт шт]

  • 1 pcs$0.07158
  • 2,500 pcs$0.06406

Частка нумар:
DMN4800LSS-13
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - TRIAC, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMN4800LSS-13. DMN4800LSS-13 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN4800LSS-13 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMN4800LSS-13
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 9A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 9.47nC @ 5V
Vgs (макс.) : ±25V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 798pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.46W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SOP
Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • RFD3055LESM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.

  • FCD850N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.

  • FCD5N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • FDD6N50TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • FDD10AN06A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.

  • FDD86326

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK.