Taiwan Semiconductor Corporation - HS3JB M4G

KEY Part #: K6426712

HS3JB M4G Цэнаўтварэнне (USD) [739065шт шт]

  • 1 pcs$0.05005

Частка нумар:
HS3JB M4G
Вытворца:
Taiwan Semiconductor Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA. Rectifiers 75ns 3A 600V Hi Eff Recov Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - SCR, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation HS3JB M4G. HS3JB M4G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HS3JB M4G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : HS3JB M4G
Вытворца : Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 3A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.7V @ 3A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 75ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-214AA, SMB
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214AA (SMB)
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • MUR110RLG

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL. Rectifiers 100V 1A UltraFast

  • RS2M-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMB. Rectifiers 2.0A 1000V

  • RS1GB-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 400V 1A SMB. Rectifiers 1.0A 400V

  • RS2B-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB. Rectifiers 2.0A 100V

  • PR1504-T

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO15. Rectifiers 1.5A 400V

  • RS1J-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 600V 1A SMA. Rectifiers 1A 600Vrrm 30Ifsm