IXYS - IXTQ22N50P

KEY Part #: K6397780

IXTQ22N50P Цэнаўтварэнне (USD) [21953шт шт]

  • 1 pcs$2.15502
  • 10 pcs$1.92586
  • 100 pcs$1.57920
  • 500 pcs$1.27877
  • 1,000 pcs$1.02317

Частка нумар:
IXTQ22N50P
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTQ22N50P. IXTQ22N50P можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ22N50P Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTQ22N50P
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
Серыя : PolarHV™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 500V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 22A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2630pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 350W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-3P
Пакет / футляр : TO-3P-3, SC-65-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.