Частка нумар :
SQJ431EP-T1_GE3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET P-CHAN 200V SO8L
Серыя :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
12A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
213 mOhm @ 1A, 4V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
160nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
4355pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
83W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PowerPAK® SO-8
Пакет / футляр :
PowerPAK® SO-8