Renesas Electronics America - HAT2169H-EL-E

KEY Part #: K6418369

HAT2169H-EL-E Цэнаўтварэнне (USD) [60727шт шт]

  • 1 pcs$0.67621
  • 2,500 pcs$0.67285

Частка нумар:
HAT2169H-EL-E
Вытворца:
Renesas Electronics America
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - JFET, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - Модулі, Модулі драйвераў харчавання and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Renesas Electronics America HAT2169H-EL-E. HAT2169H-EL-E можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HAT2169H-EL-E Атрыбуты прадукту

Частка нумар : HAT2169H-EL-E
Вытворца : Renesas Electronics America
Апісанне : MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
Серыя : -
Статус часткі : Not For New Designs
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 50A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 45nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 6650pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 30W (Tc)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : LFPAK
Пакет / футляр : SC-100, SOT-669

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.