Vishay Siliconix - IRFD9220

KEY Part #: K6415179

[12498шт шт]


    Частка нумар:
    IRFD9220
    Вытворца:
    Vishay Siliconix
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - JFET and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix IRFD9220. IRFD9220 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFD9220 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : IRFD9220
    Вытворца : Vishay Siliconix
    Апісанне : MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : P-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 560mA (Ta)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 340mA, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 15nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 340pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 1W (Ta)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет прылад пастаўшчыка : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
    Пакет / футляр : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • ZVP4105A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3.

    • ZVP2120A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3.

    • ZVN0540A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.

    • IRFIZ48G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP.

    • IRFI840G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP.

    • PMN23UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.