Rohm Semiconductor - RSD100N10TL

KEY Part #: K6420350

RSD100N10TL Цэнаўтварэнне (USD) [185557шт шт]

  • 1 pcs$0.22036
  • 2,500 pcs$0.21927

Частка нумар:
RSD100N10TL
Вытворца:
Rohm Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 10A CPT3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - JFET, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Rohm Semiconductor RSD100N10TL. RSD100N10TL можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RSD100N10TL Атрыбуты прадукту

Частка нумар : RSD100N10TL
Вытворца : Rohm Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 10A CPT3
Серыя : -
Статус часткі : Not For New Designs
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 10A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 133 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 700pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 20W (Tc)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : CPT3
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў