Microsemi Corporation - APT100GT120JRDQ4

KEY Part #: K6532848

APT100GT120JRDQ4 Цэнаўтварэнне (USD) [1780шт шт]

  • 1 pcs$24.33252
  • 10 pcs$22.75220
  • 25 pcs$21.04234
  • 100 pcs$19.72727
  • 250 pcs$18.41212

Частка нумар:
APT100GT120JRDQ4
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
IGBT 1200V 123A 570W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APT100GT120JRDQ4. APT100GT120JRDQ4 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT100GT120JRDQ4 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APT100GT120JRDQ4
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : IGBT 1200V 123A 570W SOT227
Серыя : Thunderbolt IGBT®
Статус часткі : Active
Тып IGBT : NPT
Канфігурацыя : Single
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 123A
Магутнасць - Макс : 570W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 100A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 200µA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 7.85nF @ 25V
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : No
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : ISOTOP
Пакет прылад пастаўшчыка : ISOTOP®

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GB75LA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GT140DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 200A 652W SOT-227.

  • VS-GT120DA65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.