Infineon Technologies - BSC079N10NSGATMA1

KEY Part #: K6418830

BSC079N10NSGATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [79387шт шт]

  • 1 pcs$0.49253
  • 5,000 pcs$0.47280

Частка нумар:
BSC079N10NSGATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - SCR and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies BSC079N10NSGATMA1. BSC079N10NSGATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC079N10NSGATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BSC079N10NSGATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Not For New Designs
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 13.4A (Ta), 100A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 110µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 5900pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 156W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TDSON-8
Пакет / футляр : 8-PowerTDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • CPH6350-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 6A CPH6.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IXTY3N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK.

  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.