Частка нумар :
BSC079N10NSGATMA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
Статус часткі :
Not For New Designs
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
13.4A (Ta), 100A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 110µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
87nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
5900pF @ 50V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
156W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PG-TDSON-8
Пакет / футляр :
8-PowerTDFN