Частка нумар :
IRFB812PBF
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
500V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
3.6A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
20nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
810pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
78W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-220AB
Пакет / футляр :
TO-220-3