Infineon Technologies - IRFB812PBF

KEY Part #: K6420370

IRFB812PBF Цэнаўтварэнне (USD) [188931шт шт]

  • 1 pcs$0.19577
  • 1,000 pcs$0.18794

Частка нумар:
IRFB812PBF
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - SCR, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IRFB812PBF. IRFB812PBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB812PBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRFB812PBF
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
Серыя : HEXFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 500V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3.6A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 810pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 78W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AB
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў