Vishay Siliconix - SIHB21N60EF-GE3

KEY Part #: K6416799

SIHB21N60EF-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [19564шт шт]

  • 1 pcs$2.04044
  • 10 pcs$1.82274
  • 100 pcs$1.49463
  • 500 pcs$1.21029
  • 1,000 pcs$0.96839

Частка нумар:
SIHB21N60EF-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - РФ, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя and Модулі драйвераў харчавання ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIHB21N60EF-GE3. SIHB21N60EF-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB21N60EF-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIHB21N60EF-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 21A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 176 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 84nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2030pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 227W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-263AB (D²PAK)
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • 2N7000-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • FDD6N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK.

  • FQD3N60CTM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK.

  • IRLR7833

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 140A DPAK.