Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. DRAM
  4. LPDDR4
  5. K4FHE3D4HA-GFCL

Samsung Semiconductor - K4FHE3D4HA-GFCL

KEY Part #: K7359777

[19184шт шт]

    Частка нумар:
    K4FHE3D4HA-GFCL
    Вытворца:
    Samsung Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    24 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: LPDDR4X, MODULE, LPDDR3, LPDDR5, GDDR6, HBM Aquabolt, SLC Nand and HBM Flarebolt ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Samsung Semiconductor K4FHE3D4HA-GFCL. K4FHE3D4HA-GFCL можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4FHE3D4HA-GFCL Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : K4FHE3D4HA-GFCL
    Вытворца : Samsung Semiconductor
    Апісанне : 24 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production
    Серыя : DDR3
    шчыльнасць : 24 Gb
    Org. : x32
    хуткасць : 4266 Mbps
    напружанне : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
    тэмпература : -40 ~ 95 °C
    пакет : 200FBGA
    статус прадукту : Mass Production

    Апошнія навіны

    Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • M392A2K43BB0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A2K43BB0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    Гарачыя часткі