Samsung Semiconductor - K4F8E3S4HB-MHCJ

KEY Part #: K7359770

[16747шт шт]

Частка нумар:: K4F8E3S4HB-MHCJ

Вытворца:: Samsung Semiconductor

Падрабязнае апісанне:: 8 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production.

Manufacturer's standard lead time:: У наяўнасці

Тэрмін прыдатнасці:: Адзін год

Фішка ад:: Ганконг

RoHS:

Спосаб аплаты:

Адгрузка спосабам:

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: LPDDR4, DDR4, GDDR5, LPDDR3, LPDDR5, LPDDR4X, GDDR6 and SLC Nand ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Samsung Semiconductor K4F8E3S4HB-MHCJ. K4F8E3S4HB-MHCJ можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

K4F8E3S4HB-MHCJ Атрыбуты прадукту

Частка нумар : K4F8E3S4HB-MHCJ

Вытворца : Samsung Semiconductor

Апісанне : 8 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

Серыя : DDR3

шчыльнасць : 8 Gb

Org. : x32

хуткасць : 3733 Mbps

напружанне : 1.8 / 1.1 / 1.1 V

тэмпература : -40 ~ 105 °C

пакет : 200FBGA

статус прадукту : Mass Production

Апошнія навіны

An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC

Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP

[Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions

Samsung Z-SSD SZ985

[Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.

Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones

Samsung Memory Solutions for Automotive

Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM

Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification

How Will 5G Impact on Memory?

Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing

Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

M392A2K43BB0-CPB

Samsung Semiconductor

DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.
M392A2K43BB0-CRC

Samsung Semiconductor

DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.
M392A4K40BM0-CPB

Samsung Semiconductor

DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.
M392A4K40BM0-CRC

Samsung Semiconductor

DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.
M378A1K43BB1-CPB

Samsung Semiconductor

DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
M378A1K43BB2-CRC

Samsung Semiconductor

DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

Гарачыя часткі

English Беларусь