Infineon Technologies - IRF3315PBF

KEY Part #: K6398967

IRF3315PBF Цэнаўтварэнне (USD) [53440шт шт]

  • 1 pcs$0.79021
  • 10 pcs$0.70157
  • 100 pcs$0.55436
  • 500 pcs$0.42992
  • 1,000 pcs$0.32107

Частка нумар:
IRF3315PBF
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - JFET, Дыёды - Зэнер - Масівы, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IRF3315PBF. IRF3315PBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF3315PBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRF3315PBF
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB
Серыя : HEXFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 150V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 23A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1300pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 94W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AB
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DN3545N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3.

  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • TK4R3A06PL,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.