Infineon Technologies - IPB083N15N5LFATMA1

KEY Part #: K6417458

IPB083N15N5LFATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [31745шт шт]

  • 1 pcs$1.29824
  • 1,000 pcs$1.24680

Частка нумар:
IPB083N15N5LFATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - SCR, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPB083N15N5LFATMA1. IPB083N15N5LFATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB083N15N5LFATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPB083N15N5LFATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 150V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 105A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.9V @ 134µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 210pF @ 75V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 179W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D²PAK (TO-263AB)
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BS250P

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3.

  • IRFR6215TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • IRFR2405TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 56A DPAK.

  • R5016ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM.

  • IXKP13N60C5M

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP.

  • BSS215PH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23.